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UES1104US

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小157KB,共2页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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UES1104US概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM),

UES1104US规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

UES1104US相似产品对比

UES1104US UES1105US UES1106US
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 300V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A 20 A
元件数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 2 A 2 A 2 A
最大重复峰值反向电压 200 V 300 V 400 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1
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