SILICON, RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
1N5060 | 1N5059 | 1N5061 | 1N5062 | |
---|---|---|---|---|
描述 | SILICON, RECTIFIER DIODE | SILICON, SIGNAL DIODE | SILICON, RECTIFIER DIODE | SILICON, RECTIFIER DIODE |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED | TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED | TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED | TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | - | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
包装说明 | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
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