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BZX85C10T50R

产品描述DIODE 10 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, Voltage Regulator Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小273KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准  
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BZX85C10T50R概述

DIODE 10 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, Voltage Regulator Diode

BZX85C10T50R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗7 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流25 mA
Base Number Matches1

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BZX85C 3V3 - BZX85C 33 Series
BZX85C 3V3 - 33 Series 1.3 Watt Zeners
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
T
STG
T
J
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: C = 5%
Parameter
Storage Temperature Range
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10
seconds)
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Value
-65 to +200
+ 200
+ 230
1.3
10.4
Units
°C
°C
°C
W
mW/°C
P
D
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Electrical Characteristics
Device
BZX85C 3V3
BZX85C 3V6
BZX85C 3V9
BZX85C 4V3
BZX85C 4V7
BZX85C 5V1
BZX85C 5V6
BZX85C 6V2
BZX85C 6V8
BZX85C 7V5
BZX85C 8V2
BZX85C 9V1
BZX85C 10
BZX85C 11
BZX85C 12
BZX85C 13
BZX85C 15
BZX85C 16
BZX85C 18
BZX85C 20
BZX85C 22
BZX85C 24
BZX85C 27
BZX85C 30
BZX85C 33
TA = 25°C unless otherwise noted
V
Z
(V)
(Ω)
20
15
15
13
13
10
7.0
4.0
3.5
3.0
5.0
5.0
7.0
8.0
9.0
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
Z
Z
@
(mA)
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8.0
8.0
8.0
I
ZT
Z
ZK
(Ω)
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1,000
1,200
@
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
I
ZK
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
14
15.5
17
19
21
23
@
(µA)
µ
60
30
5.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
I
SURGE
(mA)
1,380
1,260
1,190
1,070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
(mA)
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
I
ZRM
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
V
F
Foward Voltage = 1.2 V Maximum @ I
F
= 200 mA for all BZX85 series
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
BZX85 Series Rev. A1

BZX85C10T50R相似产品对比

BZX85C10T50R BZX85C13T50A
描述 DIODE 10 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, Voltage Regulator Diode DIODE 13 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, Voltage Regulator Diode
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE
最大动态阻抗 7 Ω 10 Ω
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.3 W 1.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称参考电压 10 V 13 V
表面贴装 NO NO
技术 ZENER ZENER
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
最大电压容差 5% 5%
工作测试电流 25 mA 20 mA
Base Number Matches 1 1
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