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FA57SA50LC

产品描述Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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FA57SA50LC概述

Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FA57SA50LC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)725 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)57 A
最大漏极电流 (ID)57 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)625 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)228 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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