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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMKT3906LEADFREE
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CMKT3906LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMKT3906LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN

CMKT3906LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-363
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间（toff）300 ns
最大开启时间（吨）70 ns
Base Number Matches1

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CMKT3904 NPN/NPN
CMKT3906 PNP/PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL SMALL SIGNAL
SWITCHING TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT3904 (two
single NPN) and CMKT3906 (two single PNP) are silicon
transistors in a space saving SOT-363 package, designed
for small signal general purpose amplifier and switching
applications.
MARKING CODES: CMKT3904: K04
CMKT3906: K06
SOT-363 CASE
FEATURES:
• Two NPN (3904) or Two PNP (3906)
Transistors in a single package
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN
60
40
6.0
PNP
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
200
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
-
50
-
50
IBL
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
-
-
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.0
8.0
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
250
-
-
-
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.5
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R6 (23-September 2013)

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor, Transistor Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SOT-363, 6 PIN Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant compliant compliant unknown not_compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 100 100 100 100 100 100 100 30 100
极性/信道类型 PNP NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 300 MHz 300 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 - -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) - 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W - 0.35 W

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