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SKCD9C060I

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKCD9C060I概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon,

SKCD9C060I规格参数

参数名称属性值
包装说明S-XUUC-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE-WHEELING DIODE
应用SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码S-XUUC-N2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
I
FSM
It
Tsolder
T
vj,
T
stg
T
vj,
T
stg
2
Conditions
1)
Values
600
100
50
375
– 55
+ 150
Units
V
A
A
2
s
°C
°C
°C
SEMICELL
CAL - Diode Chips
3)
SKCD 9C 060 I
3 x 3 mm; 13 A
4)
; 600 V
Preliminary data
(≥ 2 bondwires 300
µm ∅)
t
p
= 10 ms; sin; T
j
= 150
°C
t
p
= 10 ms; sin; T
j
= 150
°C
max. 120 s (transfer)
min
max
Characteristics
Symbol
I
RM
V
F
V
F
V
T(TO)
r
T
I
RRM
Q
rr
Tsolder
Tsolder
Conditions
1)
T
j
= 25
°C/125 °C;
V
RRM
I
F
= 10 A;
T
j
= 25
°C
T
j
= 125
°C
I
F
= 15 A;
T
j
= 25
°C
T
j
= 125
°C
T
j
= 125
°C,
see Fig. 1
T
j
= 125
°C
I
F
= 10 A;
2)
T
j
= 125
°C
I
F
= 10 A; T
j
= 25
°C
2)
T
j
= 125
°C
10 min
5 min
min.
typ.
1,45
1,40
1,65
1,60
0,85
40
13
0,8
1,5
250
340
max.
0,1 / 0,5
1,7
1,65
Units
mA
V
V
V
V
V
mΩ
A
µC
µC
°C
°C
0,9
70
Features
Low voltage drop
low temperature dependence
Very soft reverse recovery
under
all
conditions
CAL = Controlled Axial
Lifetime Technology
Top side = Al for bonding
by aluminum wire
Bottom = 4 layer metallisation
for soldering
Typical Applications
Inverse diode for IGBT
(in inverter drives)
Freewheeling diode in brake
choppers or step-up choppers
with IGBT or MOSFET
UPS Uninteruptible Power
Supplies
Hybrid circuits for static power
converters
Mechanical Data
A
tot
A
act.
w
total area
active area
weight
8,7
5,1
12
mm
2
mm
2
mg
Supplied on frames
Please contact factory
1)
2)
3)
4)
5)
T
case
= 25
°C,
unless otherwise specified
V
R
= 300 V; – di
F
/dt = 200 A/µs;
CAL = Controlled Axial Lifetime Technology
Soldered on DCB ceramic (Al
2
O
3
) 0,4 mm thick
on a 3 mm copper base plate R
thjc
= 3 K/W
T
jm
= 150
°C;
T
case
= 80
°C.
DCB = Direct Copper Bonding Technology
© by SEMIKRON
0896
B 15 – 7

 
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