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SMCJ36

产品描述Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 40V; PPK Max (W): 1500W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 36V; VBR Min (V): 40V; VBR Max (V): 44.2V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 64.3V; Package: SMC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小731KB,共7页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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SMCJ36概述

Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 40V; PPK Max (W): 1500W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 36V; VBR Min (V): 40V; VBR Max (V): 44.2V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 64.3V; Package: SMC

SMCJ36规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SMC
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压48.9 V
最小击穿电压40 V
击穿电压标称值44.4 V
最大钳位电压64.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压36 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1
类别
Condition10×1000us
PPK (W)1500
VRWM (V) max.36
VBR (V) min.40
VBR (V) max.48.9
IR (uA) max.1
VC (V) max.64.3
Condition1_IPP (A)23.3
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅Yes
符合ReachYes
符合RoHSYes
ECCN代码EAR99
Package OutlinesSMC

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