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ZVP2110C

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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ZVP2110C概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVP2110C规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)0.23 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JESD-30 代码R-PSIP-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V
DS
* R
DS(on)
=8Ω
ZVP2110C
G
REFER TO ZVP2110A FOR GRAPHS
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
-100
-230
-3
±
20
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
700
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
-750
8
125
100
35
10
7
15
12
15
-100
-1.5
-3.5
20
-1
-100
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
µ
A
µ
A
I
D
=-1mA, V
GS
=0V
ID=-1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-100 V, V
GS
=0
V
DS
=-80 V, V
GS
=0V, T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-375mA
V
DS
=-25V,I
D
=-375mA
mA
Static Drain-Source On-State R
DS(on)
Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
=0V, f=1MHz
V
DD
-25V, I
D
=-375mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
µ
s. Duty cycle
2%
(2) Sample test.
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