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ZXTP2012GTC

产品描述Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共6页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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ZXTP2012GTC概述

Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

ZXTP2012GTC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1
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