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UZVN4306G

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UZVN4306G概述

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

UZVN4306G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)2.1 A
最大漏源导通电阻0.45 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)15 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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