Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFCX591

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UFCX591: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共1页; 制造商Diodes Incorporated; 标准

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UFCX591概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN

UFCX591规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOT-89
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

ISSUE 3 - NOVEMBER 1995

FCX591

PARTMARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FCX491

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

Power Dissipation at T

amb

=25°C

Operating and Storage Temperature Range

PARAMETER

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

tot

stg

MAX.

VALUE

-80

-60

-5

-2

-1

-200

-65 to +150

UNIT

-100

-0.3

-0.6

-1.2

-1.0

100

150

300

MHz

CONDITIONS.

=-100

A, I

=-10mA, I

=0*

=-100

A, I

=-60V

CES

=-60V

=-4V, I

=-500mA,

=-50mA*

=-1A, I

=-100mA*

=-1A, I

=-100mA*

=-1A, V

=-5V*

=-1mA, V

=-5V*

=-500mA, V

=-5V*

=-1A, V

=-5V*

=-2A, V

=-5V*

=-50mA, V

=-10V

f=100MHz

=-10V, f=1MHz

UNIT

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C).

SYMBOL MIN.

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

Collector Cut-Off Current

Collector -Emitter Cut-Off

Current

Emitter Cut-Off Current

Saturation Voltages

CBO

CES

EBO

CE(sat)

BE(sat)

Base-Emitter Turn-on Voltage

Static Forward Current Transfer

Ratio

Transition Frequency

Output Capacitance

BE(on)

-80

-60

-5

Breakdown Voltages

obo

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300

s. Duty cycle

≤

For typical Characteristics graphs see FMMT591 datasheet

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UFCX591相似产品对比

	UFCX591
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOT-89
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

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