Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> LC0406FC12C-T75-1

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LC0406FC12C-T75-1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 12V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小626KB，共9页; 制造商ProTek Devices; 官网地址http://www.protekdevices.com/

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LC0406FC12C-T75-1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 12V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6

LC0406FC12C-T75-1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	FLIP-CHIP
包装说明	R-XBGA-B6
针数	6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压	13.3 V
最大钳位电压	26.9 V
配置	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-XBGA-B6
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W
元件数量	6
端子数量	6
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	12 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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05158

Only One Name Means ProTek’Tion™

LC0406FC3.3C - LC0406FC36C

200w Low CaPaCitanCe FLiP ChiP tvs aRRay

DesCRiPtion

The LC0406FCxxC Series Flip Chips employ advanced silicon P/N junction technology for unmatched board-level transient voltage protection against Electrostatic Dis-

charge (ESD) and Electrical Fast Transients (EFT). Developed specifically for high-density circuit protection, this series meets the IEC 61000-4-2 and 61000-4-4 require-

ments. These devices are ideally suited for handheld devices, PCMCIA and SMART cards.

This low capacitance series provides ESD protection greater than 25 kilovolts with a peak pulse power dissipation of 200 Watts per line for an 8/20µs waveform. In ad-

dition, the LC0406FCxxC series features superior clamping performance, low leakage current characteristics and a response time of less than a nanosecond. Their low

inductance virtually eliminates overshoot voltage due to package inductance.

FeatuRes

•

Compatible with IEC 61000-4-2 (ESD): Air 15kV, Contact 8kV

Compatible with IEC 61000-4-4 (EFT): 40A, 5/50ns

ESD Protection > 25 kilovolts

Available in Voltages Ranging from 3.3V to 36V

200 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8/20µs)

Protection for 3 to 5 Lines

Bidirectional and Monolithic Structure

Low Clamping Voltage

Low Capacitance

RoHS Compliant

REACH Compliant

aPPLiCations

•

Cellular Phones

MCM Boards

Wireless Communication Circuits

IR LEDs

SMART & PCMCIA Cards

MeChaniCaL ChaRaCteRistiCs

•

Standard EIA Chip Size: 0406

Approximate Weight: 0.73 milligrams

Lead-Free Plating

Solder Reflow Temperature:

Lead-Free - Sn/Ag/Cu, 96/3.5/0.5: 260-270°C

Flammability Rating UL 94V-0

8mm Tape per EIA Standard 481

Top Contacts: Solder Bump 0.004” in Height (Nominal)

Pin ConFiGuRation

05158.R7 2/11

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www.protekdevices.com

LC0406FC12C-T75-1相似产品对比

	LC0406FC12C-T75-1	LC0406FC3.3C-T75-1	LC0406FC15C-T75-1	LC0406FC24C-T75-1	LC0406FC05C-T75-1	LC0406FC36C-T75-1	LC0406FC08C-T75-1
描述	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 12V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 15V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 24V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5.9V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 36V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6	Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 8V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP CHIP-6
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP	FLIP-CHIP
包装说明	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6
针数	6	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT	LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压	13.3 V	4 V	16.7 V	26.7 V	6 V	40 V	8.5 V
最大钳位电压	26.9 V	12.5 V	34.5 V	50.6 V	13 V	80 V	18 V
配置	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6	R-XBGA-B6
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W
元件数量	6	6	6	6	6	6	6
端子数量	6	6	6	6	6	6	6
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	245	245	245	245	245
极性	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	12 V	3.3 V	15 V	24 V	5.9 V	36 V	8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	-	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices

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