HYB25D256400CE-5,HYB25D256400CE-5 pdf中文资料,HYB25D256400CE-5引脚图,HYB25D256400CE-5电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB25D256400CE-5: 产品描述DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共37页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB25D256400CE-5概述

DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

HYB25D256400CE-5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e3
长度	22.22 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.6 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

HYB25D256400CE-5相似产品对比

	HYB25D256400CE-5	HYB25D256160CF-5	HYB25D256400CT-7	HYB25D256800CC-6	HYB25D256800CF-5	HYB25D256800CT-5	HYB25D256400CC-5
描述	DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, PLASTIC, TFBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP2	BGA	TSOP2	BGA	BGA	TSOP2	BGA
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46	TBGA, BGA60,8X12,40/32	TSSOP, TSSOP66,.46	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TSSOP, TSSOP66,.46	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	66	60	66	60	60	66	60
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.5 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	200 MHz	133 MHz	166 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60
长度	22.22 mm	12 mm	22.22 mm	12 mm	12 mm	22.22 mm	12 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	16	4	8	8	8	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	60	66	60	60	66	60
字数	67108864 words	16777216 words	67108864 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words
字数代码	64000000	16000000	64000000	32000000	32000000	32000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX4	16MX16	64MX4	32MX8	32MX8	32MX8	64MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TBGA	TSSOP	TBGA	TBGA	TSSOP	TBGA
封装等效代码	TSSOP66,.46	BGA60,8X12,40/32	TSSOP66,.46	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	TSSOP66,.46	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	245	260
电源	2.6 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.004 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.25 mA	0.25 mA	0.17 mA	0.215 mA	0.25 mA	0.25 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.3 V	2.3 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	0.65 mm	1 mm	0.65 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	1 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	20	40
宽度	10.16 mm	8 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm	10.16 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
JESD-609代码	e3	-	e0	e0	-	e0	e0
端子面层	Matte Tin (Sn)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
湿度敏感等级	-	3	1	3	3	1	3

HYB25D256400CE-5

HYB25D256400CE-5概述

HYB25D256400CE-5规格参数

HYB25D256400CE-5相似产品对比

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