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SVC361

产品描述Variable Capacitance Diode, 464pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1204, 7 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小450KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SVC361概述

Variable Capacitance Diode, 464pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1204, 7 PIN

SVC361规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSIP-T7
针数7
制造商包装代码CASE 1204
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH Q
最小击穿电压16 V
配置COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管电容容差7.758%
最小二极管电容比16.5
标称二极管电容464 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T7
元件数量4
端子数量7
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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Ordering number : 2 8 1 9 A
Diffused Junction Type Silicon Diode
SVC351/361
Composite Varactor Diode for
AM Receiver Electronic
Tuning Use

SVC361相似产品对比

SVC361 SVC361K SVC361L SVC351L SVC351K SVC351M A8518-1
描述 Variable Capacitance Diode, 464pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1204, 7 PIN Variable Capacitance Diode, 442.25pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1204, 7 PIN Variable Capacitance Diode, 462.75pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1204, 7 PIN Variable Capacitance Diode, 462.75pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1194, 5 PIN Variable Capacitance Diode, 442.25pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1194, 5 PIN Variable Capacitance Diode, 484.25pF C(T), 16V, Silicon, CASE 1194, 5 PIN Fully integrated 42 V MOSFET for boost converter
包装说明 R-PSIP-T7 R-PSIP-T7 R-PSIP-T7 R-PSIP-T5 R-PSIP-T5 R-PSIP-T5 -
针数 7 7 7 5 5 5 -
制造商包装代码 CASE 1204 CASE 1204 CASE 1204 CASE 1194 CASE 1194 CASE 1194 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
最小击穿电压 16 V 16 V 16 V 16 V 16 V 16 V -
配置 COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS COMMON CATHODE, 3 ELEMENTS COMMON CATHODE, 3 ELEMENTS COMMON CATHODE, 3 ELEMENTS -
二极管电容容差 7.758% 3.222% 3.295% 3.295% 3.222% 3.252% -
最小二极管电容比 16.5 16.5 16.5 16.5 16.5 16.5 -
标称二极管电容 464 pF 442.25 pF 462.75 pF 462.75 pF 442.25 pF 484.25 pF -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE -
JESD-30 代码 R-PSIP-T7 R-PSIP-T7 R-PSIP-T7 R-PSIP-T5 R-PSIP-T5 R-PSIP-T5 -
元件数量 4 4 4 3 3 3 -
端子数量 7 7 7 5 5 5 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最小质量因数 200 200 200 200 200 200 -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
最大重复峰值反向电压 - 16 V 16 V 16 V 16 V 16 V -

 
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