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IRHM8160PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRHM8160PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, CERAMIC PACKAGE-3

IRHM8160PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, R-CSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-CSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)201 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRHM8160PBF相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, CERAMIC PACKAGE-3
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 TO-254AA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas) 500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA
JESD-30 代码 R-CSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 201 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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