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IRHF593130SCS

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHF593130SCS概述

Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN

IRHF593130SCS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)240 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)6.7 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-CBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)26.8 A
参考标准RH - 300K Rad(Si)
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRHF593130SCS相似产品对比

IRHF593130SCS
描述 Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合
包装说明 HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 240 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 6.7 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF
JESD-30 代码 O-CBCY-W3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 26.8 A
参考标准 RH - 300K Rad(Si)
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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