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NM93C66LZVMT8: 产品描述EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8; 产品类别存储存储; 文件大小24KB，共9页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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NM93C66LZVMT8概述

EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8

NM93C66LZVMT8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	PLASTIC, TSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	0.25 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.4 mm
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms
写保护	SOFTWARE
Base Number Matches	1

NM93C66LZVMT8相似产品对比

	NM93C66LZVMT8	NM93C66VMT8	NM93C66LM8	NM93C66LMT8	NM93C66M8
描述	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	PLASTIC, TSSOP-8	TSSOP, TSSOP8,.25	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	0.25 MHz	1 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	1 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
长度	4.4 mm	4.4 mm	4.9 mm	4.4 mm	4.9 mm
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words
字数代码	256	256	256	256	256
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256X16	256X16	256X16	256X16	256X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	SOP	TSSOP	SOP
封装等效代码	TSSOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
电源	3/5 V	5 V	3/5 V	3/5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.75 mm	1.2 mm	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.000001 A	0.00005 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00005 A
最大压摆率	0.001 mA	0.001 mA	0.001 mA	0.001 mA	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	4.5 V	2.7 V	2.7 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	3.3 V	3.3 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	3 mm	3 mm	3.9 mm	3 mm	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	10 ms	15 ms	15 ms	10 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	-	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild

NM93C66LZVMT8

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NM93C66LZVMT8规格参数

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