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CYT5401D

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, PLASTIC PACKAGE-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小542KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CYT5401D概述

Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, PLASTIC PACKAGE-8

CYT5401D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC PACKAGE-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压220 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CYT5401D
SURFACE MOUNT
DUAL, ISOLATED
HIGH VOLTAGE
PNP SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5401D type
consists of two (2) isolated PNP high voltage silicon
transistors packaged in an epoxy molded SOT-228
surface mount case. Manufactured by the epitaxial
planar process, this SUPERmini™ device is ideal for
high voltage applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-228 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
W
°C
°C/W
250
220
7.0
600
2.0
-65 to +150
62.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
VCB=120V
50
ICBO
VCB=120V, TA=100°C
50
IEBO
VEB=3.0V
50
BVCBO
IC=100μA
250
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
hfe
NF
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=200μA, RS=10Ω,
f=10Hz to 15.7kHz
220
7.0
100
150
1.0
1.0
100
100
75
25
100
40
300
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
mV
mV
V
V
300
6.0
200
8.0
MHz
pF
dB
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