KM68V4000BLZ-8L,KM68V4000BLZ-8L pdf中文资料,KM68V4000BLZ-8L引脚图,KM68V4000BLZ-8L电路-Datasheet-电子工程世界

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KM68V4000BLZ-8L: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48; 产品类别存储存储; 文件大小133KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM68V4000BLZ-8L概述

Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48

KM68V4000BLZ-8L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA36,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	11.65 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA36,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.81 mm
最大待机电流	0.000015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.2 mm
Base Number Matches	1

KM68V4000BLZ-8L相似产品对比

	KM68V4000BLZ-8L	KM68U4000BLZI-10L	KM68V4000BLZI-8L	KM68U4000BLZ-10L
描述	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA, BGA36,6X8,30	VFBGA, BGA36,6X8,30	VFBGA, BGA36,6X8,30	VFBGA, BGA36,6X8,30
针数	48	48	48	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	85 ns	100 ns	85 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	11.65 mm	11.65 mm	11.65 mm	11.65 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3 V	3.3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.81 mm	0.81 mm	0.81 mm	0.81 mm
最大待机电流	0.000015 A	0.00002 A	0.00002 A	0.000015 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.6 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	2.7 V	3 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3 V	3.3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.2 mm	7.2 mm	7.2 mm	7.2 mm
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

KM68V4000BLZ-8L

KM68V4000BLZ-8L概述

KM68V4000BLZ-8L规格参数

KM68V4000BLZ-8L相似产品对比

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