KM68V1000CLTI-8L,KM68V1000CLTI-8L pdf中文资料,KM68V1000CLTI-8L引脚图,KM68V1000CLTI-8L电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> KM68V1000CLTI-8L

KM68V1000CLTI-8L: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32; 产品类别存储存储; 文件大小764KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM68V1000CLTI-8L概述

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

KM68V1000CLTI-8L规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00002 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

KM68V1000CLTI-8L相似产品对比

	KM68V1000CLTI-8L	KM68V1000CLTGE-8L	KM68V1000CLTGI-8L
描述	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.8,20	TSSOP, TSSOP32,.56,20	TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	85 ns	85 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3
端子数量	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-25 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.8,20	TSSOP32,.56,20	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40
Base Number Matches	1	1	1

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