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K7M161825M-QC85

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
产品类别存储    存储   
文件大小347KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7M161825M-QC85概述

ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100

K7M161825M-QC85规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.32 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
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