K4N51163QC-ZC36T,K4N51163QC-ZC36T pdf中文资料,K4N51163QC-ZC36T引脚图,K4N51163QC-ZC36T电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4N51163QC-ZC36T

K4N51163QC-ZC36T: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共64页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4N51163QC-ZC36T概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84

K4N51163QC-ZC36T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

K4N51163QC-ZC36T相似产品对比

	K4N51163QC-ZC36T	K4N51163QC-ZC2AT	K4N51163QC-ZC25T	K4N51163QC-ZC33T
描述	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84	Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84	DDR DRAM, 32MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	FBGA, BGA84,9X15,32	FBGA, BGA84,9X15,32	FBGA, BGA84,9X15,32	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.47 ns
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz	350 MHz	400 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	CACHE DRAM MODULE	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16
端子数量	84	84	84	84
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	1
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	-	0.01 A

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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