电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SMJ416100-60FNCM

产品描述16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, CDSO24, 0.450 INCH, CERAMIC, SOLCC-28/24
产品类别存储    存储   
文件大小526KB,共18页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SMJ416100-60FNCM概述

16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, CDSO24, 0.450 INCH, CERAMIC, SOLCC-28/24

SMJ416100-60FNCM规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DLCC
包装说明SON,
针数28/24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDSO-N24
长度19.685 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16MX1
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.18 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

SMJ416100-60FNCM相似产品对比

SMJ416100-60FNCM SMJ416100-60HKBM
描述 16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, CDSO24, 0.450 INCH, CERAMIC, SOLCC-28/24 16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, CDFP28, FP-28
零件包装代码 DLCC DFP
包装说明 SON, DFP,
针数 28/24 28
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-CDSO-N24 R-CDFP-F28
长度 19.685 mm 19.685 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 24 28
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 16MX1 16MX1
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 SON DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLATPACK
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 3.18 mm 3.32 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 11.43 mm 11.43 mm
2年磨成一剑,《Zigbee深入浅出实战篇》原创超高清视频教程部分,不看别后悔
Zigbee一线在职工程师,2年磨成一剑,录制出《Zigbee深入浅出实战篇》原创超高清视频教程部分,不看别后悔第一讲上 [url]http://www.tudou.com/programs/view/qVqSP3iUxmE[/url]第一讲下 [url]http://www.tudou.com/programs/view/QVjzwpQlvMQ[/url]第二讲[url]http://www.t...
倒戈人生 RF/无线
@@@@@@@@关于晶振的三个问题@@@@@@@@
请问大家晶振起振时两引脚电压是多少?不起振单片机会出现什么状况?会有那些原因导致不起振?...
湘9雷 嵌入式系统
基于DDS的幅值可调信号发生器的设计
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:40 编辑 [/i][size=10.5pt][font=宋体]本系统设计是以单片机AT89S52为控制器,以微处理器应用技术和DDS AD9850技术为核心,通过微处理器控制AD9850,实现频率预置、控制字的设置等功能。AD9850实现信号发生器功能,微处理器控制D/A转换器TLC5615,从而控制乘法器AD534,实现正...
yandaoyiyan 电子竞赛
icmpv6 NS 检测地址冲突出错怎么办?
int icmpv6_NS(char *pIfname, struct in6_addr *dst){int sockfd= -1;int sockopt = 0;int rc = 0;char buff[512] = {0};int len = 0;struct sockaddr_in6 multi_addr;struct ipv6_mreq mreq6;struct nd_neighbor_s...
sawos 嵌入式系统
开关电源中的局部放电
[i=s] 本帖最后由 wangerxian 于 2021-11-17 14:50 编辑 [/i]一、局部放电现象局部放电(partial discharge,简称PD)现象,通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电,某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时,该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短(路桥)接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对...
wangerxian 电源技术
求购ATT7022C(spi)计量芯片在at91sam9260的linux驱动
求驱动源码, 最好做过, 报酬面议!QQ: 191359593...
happyahead Linux与安卓

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 423  629  1069  1477  1505 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved