Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MH2V645CZJJ-7

文档预览

MH2V645CZJJ-7: 产品描述EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小238KB，共25页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

下载文档详细参数选型对比全文预览

MH2V645CZJJ-7概述

EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144

MH2V645CZJJ-7规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.84 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Preliminary

Some of contents are subject

to change without notice.

MITSUBISHI LSIs

MH2V645CZJJ-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S

HYPER PAGE MODE 134217728-BIT (2097152-WORD BY 64-BIT)DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MH2V645CZJJ is 2097152 - word by 64 - bit dynamic

RAM module. This consists of eight industry standard 2Mx8

dynamic RAMs in TSOP and one industry EEPROM in TSSOP.

The mounting of TSOP on a card edge dual in line package

provides any application where high densities and large of

quantities memory are required.

This is a socket-type memory module,suitable for easy

interchange of addition of modules.

APPLICATION

Main memory unit for computer,Microcomputer

memory,Refresh memory for CRT.

FEATURES

RAS

CAS Address

Power

access access access access Cycle dissipation

time

(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns) (typ.mW)

MH2V645CZJJ-5,5S

MH2V645CZJJ-6,6S

MH2V645CZJJ-7,7S

110

130

3480

2880

2520

single 3.3V ± 0.3V supply

Low stand-by power dissipation

14.4mW- - - - - - - - - CMOS input level

5.76mW- - - - - - - - - CMOS input level*

operating power dissipation

MH2V645CZJJ-5,5S - - - - 4200 mW(max.)

MH2V645CZJJ-6,6S - - - - 3480 mW(max.)

MH2V645CZJJ-7,7S - - - - 3040 mW(max.)

Self refresh capability*

Self refresh current - - - - 1600 uA(max.)

All input, output TTL compatible and low capacitance

2048 refresh cycle every 32.0ms(A0~A10)

Utilizes industry standard 2Mx8 RAMs in TSOP and

industry standard EEPROM in TSSOP.

Includes decoupling capacitor(0.22uFx8)

Hyper page mode , Read-modify-write,RAS-only

refresh,CAS before RAS refresh,Hidden refresh

capabilities.

Early-write mode,OE and W to control output buffer

impedance.

*:Applicable to self refresh version(MH2V645CZJJ-5S,-6S,-7S)

only

SPD Table

Byte No.

MH2V645CZJJ-5

MH2V645CZJJ-5S

MH2V645CZJJ-6

MH2V645CZJJ-6S

MH2V645CZJJ-7

MH2V645CZJJ-7S

MIT-DS-0034-1.0

10 11 12 13 14 27 28 29 30 31

00 1E 00 12 32

00 28 00 14 3C

00 32 00 14 46

00 32

00 14 46

80 08 02 0B 0A 01 40 00 01

0D 00 00 08

80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 32 0D 00 80 08

80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 3C 0F 00 00 08

80 08 02 0B 0A 01 40 00 01

3C 0F

80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 46

00 80 08

00 00 08

00 80 08

MITSUBISHI

ELECTRIC

( 1 / 25 )

Jan/23/1997

MH2V645CZJJ-7相似产品对比

	MH2V645CZJJ-7	MH2V645CZJJ-5S	MH2V645CZJJ-5	MH2V645CZJJ-7S	MH2V645CZJJ-6	MH2V645CZJJ-6S
描述	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	50 ns	50 ns	70 ns	60 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	YES	NO	YES	NO	YES
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.84 mA	1.16 mA	1.16 mA	0.84 mA	0.96 mA	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

推荐资源

msp430 AD转换测电压不准: 请教各位大侠，为什么430的AD测量十二个电阻串联起来的电压值会测的不准，电阻串的越多就越不准啊？跪求答案...; 卖力的小苦工微控制器 MCU

不用怀疑！实时测量也可以做到低功耗: 许多人一想到智能仪表就会想到电表，但在看到智能仪表带给电表市场的优势，例如：向消费者提供实时消费数据以便他们管理使用情况，还可以防止通过篡改数据进行窃电后——消费者希望水流量表 ......; alan000345 微控制器 MCU

USB转打印口CH341的WINDOWS驱动程序: USB转打印口CH341的WINDOWS驱动程序...; songbo 单片机

精密模拟电路可以使用USB的5V供电吗？: 本帖最后由 littleshrimp 于 2015-11-11 11:38 编辑比如一个高位的ADC和一些模拟前端如果电路中需要5V供电，可以使用USB 5V供电吗？如果一定要使用USB的5V供电应该选哪些方式处理？...; littleshrimp 模拟电子

LCD图形显示_菜单管理_PCF8583_TWI_SPI所有C代码公开: 现将2006在一家公司做的一个产品的仿真部分所有源码资料公布，供大家学习和参考！包括参菜单管理算法。菜单翻页可像手机菜单一下，可滚动翻页，并有进度条指示。另还有TWI读写PCF8563的程序。不 ......; bigcat1980 单片机

散分！终于明白AHDL和VHDL的语法了！！: 散分！终于明白AHDL和VHDL的语法了！！ AHDL和VHDL是一种接口描述语言。不是计算语言。也不是逻辑设计语言。至于可以用软件生成芯片逻辑。那要看软件功能了。硬件的逻辑结构是你的设计是你个 ......; ten231147 嵌入式系统

马斯克：特斯拉FSD V14驾驶表现将优于人类司机，它“感觉像是有生命的”

8月24日消息，特斯拉CEO埃隆· 马斯克透露了即将发布的FSD V14的相关信息，他表示V14的驾驶表现将优于人类司机。特斯拉FSD负责人阿肖克去年曾表示，FSD在2024年初的12.5版本相比年初已有100倍提升，而V13版本预计可实现1000倍的进步。用户@jamesdouma推测，如果V14在初期测试阶段的表现如马斯克所言，相比现有的V13有明显提升，那么成熟后的V14可能会使FSD进...[详细]
基于NiosⅡ+SOPC的LCD显示系统设计

Nios Ⅱ是一种可配置的16/32位RISC处理器，它结合丰富的外设专用指令和硬件加速单元可以低成本地提供极度灵活和功能强大的 SOPC 系统，开发者根据实际需要自行整合。ALTEra 公司所有主流FPGA 器件都支持Nios Ⅱ。将LCD驱动与Nios Ⅱ相结合可以得到一个扩展性强、通用的IP核，从而解决不同型号液晶屏之间的驱动差异问题。 1 NiosⅡ 软核处理器和 SOPC 设...[详细]
你知道“汽车电子围栏”是什么吗

什么是“汽车电子围栏” 车队管理者可在亚美科技的车辆后台管理系统(PC端或者手机端)中设置一个图形区域(规则或不规则)或按行政区划分。当已安装车智汇智能终端的车辆驶离指定的区域，系统会按事先设定的条件，启动相关的处理程序，及时向车队管理者发出警报及手机端会推送通知。亚美科技课堂：汽车电子围栏的工作流程第一，为汽车安装亚美科技智能终端的产品。第二，车队管理者在亚美科技的车辆后台管理系统中...[详细]
语音识别技术原理简介

语音识别技术原理简介自动语音识别技术(Auto Speech Recognize，简称ASR)所要解决的问题是让计算机能够“听懂”人类的语音，将语音中包含的文字信息“提取”出来。ASR技术在“能听会说”的智能计算机系统中扮演着重要角色，相当于给计算机系统安装上“耳朵”，使其具备“能听”的功能，进而实现信息时代利用“语音”这一最自然、最便捷的手段进行人机通信和交互。语音识别技术所面临的问题...[详细]
机器人，引爆激光雷达

机器人成为激光雷达的“第二增长曲线”。就在激光雷达还在汽车领域和“纯视觉路线”的对手Battle之际，一个领域却点爆了对它的需求。 8月15日，禾赛科技（HS AI ）宣布了两个消息。一是公布了2025年第二季度未经审计的财务数据，其中最大的亮点是当季净利润突破4400万元，远超GAAP层面盈利转正目标。而整个第二季度，禾赛实现营收7.1亿元，同比增长超50%。值得“敲...[详细]
用国产大模型，特斯拉接入豆包和DeepSeek

日前，特斯拉发布了《特斯拉车机语音助手使用条款》，宣布车机语音助手将接入火山引擎提供的豆包大模型（云雀大模型）和DeepSeek Chat，而对于具体上线时间官方暂未明确。该条款指出，每辆特斯拉都配备了语音助手功能。车主可以通过物理按键、“嘿，Tesla”或自定义唤醒词激活车机语音助手，进而与车辆进行语音交互。根据特斯拉中国官网更新的《特斯拉车机语音助手使用条款》显示，全新上...[详细]
全新MG4半固态电池版已上工信部公告，年内批量交付

日前，全新MG4正式登陆工信部新车公告，其中的全新MG4半固态电池版，解决了电池在低温性能与安全上的技术瓶颈，为行业带来了新的技术突破。其搭载的半固态电池通过底层材料技术创新，液态电解质含量降至5%，已接近准固态电池水平，从根本上解决电池自燃隐患。本次公告，标志着半固态电池技术正式步入商业化应用新阶段。 8月29日，全新MG4将正式上市，其半固态电池版也将同步发布价格，预计年内批量交付。半固...[详细]
一种BLDC电机驱动的洗衣机控制器设计方案

　　引言　　随着“节能减排”成了国家经济发展“十一五”规划纲要的指标，人们在绿色环保方面的意识也逐渐增加。对已经普及的洗衣机来说，洗衣机的能耗和洗净率指标要求越来越高，所以现阶段洗衣机技术主要强调的是变频节能、低噪声和高洗净。尤其在高端洗衣机功能中，除了突出有触摸按键的人机界面或带除菌技术的健康洗之外，主要就体现在变频控制整机性能的提升。同时，从上世纪70年代电容启动式的单相异步电机控制技术...[详细]
一种新型的电气火灾监控报警系统应用探讨

引言　　据《中国火灾统计年鉴》显示，近十年的火灾事故中，电气火灾所占比例在30%以上，且呈逐年上升的趋势，已成为火灾的主要致灾因素，引起巨大的人财物损失。电气火灾产生的主要原因有短路、过载、接触电阻过大、静电等，其中接地性电弧短路是最危险也多发的电气火灾成因，主要是由于故障点接触不良，未被熔融而迸发出电或者电火花。而且发生电弧性短路的故障点阻抗较大，它的短路电流并不大(略大于300mA的电流...[详细]
为什么旧风扇要拨一下才转起来

　　炎炎夏日，电风扇是老百姓家里降温祛暑的必备良品，不过，相信多数人都遇到过这种情况，电风扇接通了电源，按下开关，风叶竟然不动?换几档都不行!但只要拨一下风扇叶片，马上就转起来了。这是怎么回事呢? 　　一般家用电风扇都是单相交流220V供电，所用的电机为单相异步电机，这种电机具有结构简单，成本低廉、运行等一系列的有点，所以广泛应用于如电风扇、洗衣机、电冰箱、空调等家电中。那么单相电机的运行...[详细]
汽车使用劣质火花塞负面影响多，如何区分火花塞真假

火花塞对于发动机来说是必不可少的一个装置了，正所谓离开了火花塞，发动机无法正常的工作，严重的后果就是在高速行车的时候，那么对于火花塞来说，购买更换看似简单，但是实际上面来说，使用不当带来的危害还是很大的，火花塞主要的作用就是满足发动机在工作的时候所需要的电能，达到促进汽油燃烧的这么一个装置，而对于火花塞来说，假的劣质的火花塞有哪些危害？假的火花带来的后果会导致加速性能下降，冷启动困难等一...[详细]
一辆合格的新能源汽车应该达到什么标准

新能源汽车随着保有量的增加，新能源汽车配套设施的布局加快，对于新能源汽车而言也开始逐渐走进了大多数人的视野，新能源汽车不限行，不限号，无尾气污染等，也成了很多人买车时候的一种选择，无论在什么地方，总是能见到新能源汽车特有的绿色车牌，这成了一种趋势，但关于新能源汽车，真正的新能源汽车应该达到什么标准？真正的新能源汽车在我看来，应该具备零排放无污染，安全系数高，合适的续航里程等。从零排放无污染...[详细]
储能设备的人机交互模块需要符合什么要求？

1、易于使用：人机交互模块应该设计得简单明了，使用户能够轻松地操作和设置储能设备。 2、易于维护：人机交互模块应该设计得易于维护，以便用户能够快速和方便地检查和修理储能设备。 3、可靠性高：人机交互模块应该设计得可靠，以确保储能设备能够长时间运行，并且不会出现故障。 4、数据记录：人机交互模块应该能够记录储能设备的运行数据，以便用户能够监视和跟踪储能设备的工作情况。 5、安全性：人机交互模块应该...[详细]
未按要求上报自动驾驶相关交通事故，特斯拉面临美交通部门调查

8 月 22 日消息，据美国 CNBC 今日报道，美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）正对特斯拉发起调查，后者被质疑是否未按规定及时上报涉及其自动驾驶系统的交通事故。 NHTSA 在文件中指出，特斯拉的多份事故报告比事故发生晚了数月才提交。特斯拉解释称，这是数据收集系统出现问题所致，目前已修复。按规定，车企必须在知晓事故五天内上报。NHTSA 将通过一次“审计查询”来确认特斯拉是否合规，并...[详细]
比亚迪发布新一代「灵充」充电桩，3.5kW/7kW双版本兼容主流车型

8月21日，比亚迪宣布推出新一代“小白桩”产品——「灵充」充电桩，并已全面开放销售。这款充电桩采用了更加圆润的设计，提供3.5kW和7kW两种版本，支持即插即充或NFC刷卡启动，同时手机可复制卡片信息，实现一碰即启动的便捷操作。「灵充」充电桩深度兼容主流新能源汽车品牌，用户无需为不同车型寻找专用充电桩，同时提供超长质保服务。小智版还额外赠送6年流量桩体防伪码，用户可通过扫码辨别真伪。在安全...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多