SMAJ22C: 产品描述Surface Mount TVS Diode; Direction: Bidirectional; V(BR) Typ (V): 24.4V; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 6V; VBR Min (V): 6.67V; VBR Max (V): 7.37V; IR Max (uA): 800uA; VC Max (V): 10.3V; Package: SMA; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小769KB，共7页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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SMAJ22C概述

Surface Mount TVS Diode; Direction: Bidirectional; V(BR) Typ (V): 24.4V; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 6V; VBR Min (V): 6.67V; VBR Max (V): 7.37V; IR Max (uA): 800uA; VC Max (V): 10.3V; Package: SMA

SMAJ22C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SMA
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压	29.8 V
最小击穿电压	24.4 V
击穿电压标称值	27.1 V
最大钳位电压	39.4 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	22 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1
类别
Condition	10×1000us
PPK (W)	400
VRWM (V) max.	22
VBR (V) min.	24.4
VBR (V) max.	29.8
IR (uA) max.	1
VC (V) max.	39.4
Condition1_IPP (A)	10.2
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
是否无铅	Yes
符合Reach	Yes
符合RoHS	Yes
ECCN代码	EAR99
Package Outlines	SMA

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Production specification

Transient Voltage Suppressor

Features



Optimized for LAN protection applications

Low profile package with built-in strain relief

for surface mounted applications



SMAJ5.0--SMAJ440CA

Low incremental surge resistance, excellent clamping capability

400W peak pulse power capability with a 10/1000¦Ìs wave

form, repetition rate (duty cycle): 0.01% (300W above 78V)

Very fast response time

High temperature soldering guaranteed: 250°C / 10 seconds at terminals

Mechanical Data



Case: SMA molded plastic

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Terminals: Solder plated, solderable per MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode end

For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g. SMAJ10C, SMAJ10CA). Electrical

characteristics apply in both directions.

Devices for Bidirectional Applications

Maximum Ratings

(@T

= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform

(NOTE 1,2, FIG.1)

Peak pulse current with a 10/1000μs waveform (NOTE1)

Typical thermal resistance, junction to ambient (NOTE 3)

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

uni-directional only (NOTE 2)

Typical thermal resistance, junction to

ambient (NOTE 3)

Symbol

PPM

θ JA

FSM

θJL

, T

STG

Value

Minimum 400

See next table

120

40.0

-55---+150

Units

℃/W

℃

Operating junction and storage temperature range

NOTES: 1.Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derate above TA=25 per Fig. 2. Rating is 300W

above 78V.

2. Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm) copper pads to each terminal.

3. Mounted on minimum recommended pad layout.

SMA601AA

Rev.B

www.gmesemi.com

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