128KX8 EEPROM 5V, 250ns, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 250 ns |
其他特性 | PAGE WRITE |
JESD-30 代码 | R-CDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
Base Number Matches | 1 |
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