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CMPF5484LEADFREE

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小332KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPF5484LEADFREE概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN

CMPF5484LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)1 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)16 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMPF5484
CMPF5485
CMPF5486
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL JFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF5484 Series
types are surface mount, N-Channel JFETs designed
for RF amplifier and mixer applications. These devices
will operate well in the VHF/UHF frequency range.
MARKING CODES:
CMPF5484: 6B
CMPF5485: 6B1
CMPF5486: 6H
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VGD
VGS
ID
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
25
25
30
10
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPF5484
CMPF5485
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
MIN MAX
IGSS
IGSS
IDSS
BVGSS
VGS(off)
gFS
Yos
Ciss
Coss
Crss
Re(yis)
Re(yis)
Re(yos)
Re(yos)
Re(yfs)
Re(yfs)
VGS=20V
VGS=20V, TA=100°C
VDS=15V
IG=1.0μA
VDS=15V,
VDS=15V,
ID=10nA
VGS=0, f=1.0KHz
-
-
1.0
25
0.3
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
-
1.0
0.2
5.0
-
3.0
6.0
50
5.0
2.0
1.0
100
-
75
-
-
-
-
-
4.0
25
0.5
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
1.0
0.2
10
-
4.0
7.0
60
5.0
2.0
1.0
-
1.0
-
100
-
-
CMPF5486
MIN MAX
-
-
8.0
25
2.0
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
1.0
0.2
20
-
6.0
8.0
75
5.0
2.0
1.0
-
1.0
-
100
-
-
UNITS
nA
μA
mA
V
V
mS
μS
pF
pF
pF
μS
mS
μS
μS
mS
mS
VDS=15V, VGS=0, f=1.0KHz
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0, f=100MHz
VDS=15V, VGS=0, f=400MHz
VDS=15V, VGS=0, f=100MHz
VDS=15V, VGS=0, f=400MHz
VDS=15V, VGS=0, f=100MHz
VDS=15V, VGS=0, f=400MHz
VDS=15V,
VDS=15V,
VGS=0, f=1.0MHz
R6 (2-May 2014)

CMPF5484LEADFREE相似产品对比

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描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.03 A 0.03 A 0.03 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 1 pF 1 pF 1 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 16 dB 16 dB 16 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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