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CMLDM7585LEAD/TIN

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共5页
制造商Central Semiconductor
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CMLDM7585LEAD/TIN概述

Transistor

CMLDM7585LEAD/TIN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.65 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMLDM7585
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
COMPLEMENTARY MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7585
consists of complementary N-Channel and P-Channel
enhancement-mode silicon MOSFETs designed for
high speed pulsed amplifier and driver applications.
These MOSFETs offer very low rDS(ON) and low
threshold voltage.
MARKING CODE: 87C
FEATURES:
• ESD protection up to 1800V (Human Body Model)
• 350mW power pissipation
• Very low rDS(ON)
• Low threshold voltage
• Logic level compatible
• Small, SOT-563 surface mount package
SYMBOL N-CH (Q1)
VDS
20
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
N-CH (Q1)
MIN TYP MAX
-
-
1.0
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
1.1
1.1
-
-
-
0.7
-
1.3
350
300
150
-65 to +150
357
P-CH (Q2)
MIN TYP MAX
-
-
10
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.37
-
-
100
-
1.0
-
1.1
-
-
0.5
-
0.8
8.0
650
1.0
P-CH (Q2)
UNITS
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
UNITS
μA
nA
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power switches
• Power supply converter circuits
• Battery powered portable devices
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=4.5V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
VSD
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
VDS=16V, VGS=0
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=200mA
VGS=0, IS=250mA
VGS=4.5V, ID=600mA
VGS=4.5V, ID=350mA
VGS=2.5V, ID=500mA
VGS=2.5V, ID=300mA
VGS=1.8V, ID=350mA
VGS=1.8V, ID=150mA
0.14 0.23
0.2 0.275
0.25 0.36
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R6 (8-June 2015)

CMLDM7585LEAD/TIN相似产品对比

CMLDM7585LEAD/TIN CMLDM7585LEADFREE CMLDM7585TRR
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.65 A 0.65 A 0.65 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1
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