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SST211

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小485KB,共6页
制造商TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology)
官网地址http://www.telcom-semi.com/
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SST211概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

SST211规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.05 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.36 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

SST211相似产品对比

SST211 SST215 SST213
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W 0.36 W 0.36 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 - TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology) TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology)
配置 - Single Single
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