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BY254GP/54

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BY254GP/54概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

BY254GP/54规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BY251GP thru BY255GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Plastic Rectifier
FEATURES
®
• Superectifier structure for high reliability
application
• Cavity-free glass-passivated junction
• Low forward voltage drop
ted*
aten
P
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602, and
brazed-lead assembly by
Patent No. 3,930,306
• Low leakage current, I
R
less than 0.1 µA
• High forward surge capability
DO-201AD
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power
supplies, inverters, converters and freewheeling
diodes for both consumer and automotive applications.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
max.
3.0 A
200 V to 1300 V
100 A
5.0 µA
1.1 V
175 °C
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2
whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum non repetitive peak reverse voltage
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current 10 mm lead
length at T
A
= 55 °C
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum full load reverse current, full cycle average
10 mm lead length at T
A
= 55 °C
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL BY251GP BY252GP BY253GP BY254GP BY255GP
V
RSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
R(AV)
T
J
, T
STG
220
200
140
200
440
400
280
400
660
600
420
600
3.0
100
100
- 65 to + 175
880
800
560
800
1430
1300
910
1300
UNIT
V
V
V
V
A
A
µA
°C
Document Number: 88541
Revision: 10-Nov-08
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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