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IS61C81-L30N

产品描述Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28
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文件大小657KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61C81-L30N概述

Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28

IS61C81-L30N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间30 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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