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PG05GBUSC-RTK/P

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, USC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小534KB,共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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PG05GBUSC-RTK/P概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, USC, 2 PIN

PG05GBUSC-RTK/P规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Protection in Portable Electronics Applications.
PG05GBUSC
Single Line TVS Diode for ESD
Protection in Portable Electronics
FEATURES
・350
Watts peak pulse power (tp=8/20μ
s)
・Transient
protection for data lines to
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)
IEC 61000-4-5(Lightning) 24A(tp=8/20μ
s)
・Bidirectional
Type Pin Configuration Structure.
・Small
package for use in portable electronics.
・Suitable
replacement for Multi-Layer Varistors in ESD protection applications.
・Protects
on I/O or power line.
・Low
clamping voltage.
・Low
leakage current.
APPLICATIONS
・Cell
phone handsets and accessories.
・Microprocessor
based equipment.
・Personal
digital assistants (PDA s)
・Notebooks,
desktops, & servers.
・Portable
instrumentation.
・Pagers
peripherals.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Peak Pulse Power (tp=8/20μ
s)
Peak Pulse Current (tp=8/20μ
s)
Operating Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
P
PK
I
PP
T
j
T
stg
RATING
350
24
-55½150
-55½150
UNIT
W
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
Junction Capacitance
SYMBOL
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
I
t
=1mA
V
RWM
=5V
I
PP
=24A, tp=8/20μ
s
V
R
=0V, f=1MHz
TEST CONDITION
-
MIN.
-
6
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
5
-
10
14.5
200
UNIT
V
V
μ
A
V
pF
2014. 3. 31
Revision No : 2
1/2
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