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PHM18NQ15T

产品描述TRANSISTOR 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PHM18NQ15T概述

TRANSISTOR 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8, FET General Purpose Power

PHM18NQ15T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)170 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)17.9 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.075 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)76 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

PHM18NQ15T相似产品对比

PHM18NQ15T PHM18NQ15T,518
描述 TRANSISTOR 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8, FET General Purpose Power MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
包装说明 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 170 mJ 170 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 150 V
最大漏极电流 (ID) 19 A 19 A
最大漏源导通电阻 0.075 Ω 0.075 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 76 A 76 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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