Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | STANDARD SPEED |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IRGCH20SE | IRGCH20SEPBF | |
---|---|---|
描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
其他特性 | STANDARD SPEED | STANDARD SPEED |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 | R-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved