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UF3DT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF3DT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

UF3DT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

UF3DT/R7文档预览

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UF3A~UF3J
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 600 Volts
CURRENT
3 Amperes
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
sup e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 3 A
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 2 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJ
L
t
rr
T
J
,T
S TG
UF 3 A
50
35
50
UF 3 B
100
70
100
UF 3 D
200
140
200
3
100
UF 3 G
400
280
400
UF 3 J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
1
1
300
75
15
50
-5 5 to +1 5 0
1 .3
1 .7
V
μA
Ma xi mum D C Re ve rse C urre nt a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i ca l Juncti o n C a p a ci ta nc e (No te 2 )
Typ i ca l The rm a l Re si s ta nc e (No te 3 )
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 1 )
Op e ra ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
63
O
pF
C / W
ns
O
100
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
March 13,2012-REV.04
PAGE . 1

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