IC 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | DIMM, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 40 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 603979776 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8MX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.47 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.13 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| THM72V8035BTG-4 | THM72V8035BTG-5 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM | IC 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, Dynamic RAM |
| 包装说明 | DIMM, | DIMM, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 40 ns | 50 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 603979776 bit | 603979776 bi |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 | 72 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 168 |
| 字数 | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 | 8000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8MX72 | 8MX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.47 V | 3.47 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.13 V | 3.13 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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