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TC5116800ANJ-60

产品描述IC 2M X 8 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO28, SOJ-28, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小42KB,共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC5116800ANJ-60概述

IC 2M X 8 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO28, SOJ-28, Dynamic RAM

TC5116800ANJ-60规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
长度18.42 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型OTHER DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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