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CMPD6001SBKPBFREE

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小730KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPD6001SBKPBFREE概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon,

CMPD6001SBKPBFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.35 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

CMPD6001SBKPBFREE相似产品对比

CMPD6001SBKPBFREE CMPD6001STRPBFREE
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.85 V 0.85 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 4 A 4 A
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 3 µs 3 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

 
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