Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 800 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X27 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 27 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 2300 ns |
标称接通时间 (ton) | 650 ns |
Base Number Matches | 1 |
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