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TMS4C1024-15N

产品描述IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共42页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TMS4C1024-15N概述

IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC

TMS4C1024-15N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间150 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

TMS4C1024-15N相似产品对比

TMS4C1024-15N TMS4C1024-15DJ
描述 IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最长访问时间 150 ns 150 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20
内存密度 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1
端子数量 18 20
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ
封装等效代码 DIP18,.3 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512
最大待机电流 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.055 mA 0.055 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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