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SML20EUZ12BR3

产品描述20A, 1200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247CLIP, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商SEMELAB
标准  
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SML20EUZ12BR3概述

20A, 1200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247CLIP, 2 PIN

SML20EUZ12BR3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247CLIP
包装说明R-PSIP-T2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向恢复时间0.045 µs
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SML20EUZ12B
Enhanced Ultrafast
Recovery Diode
1200 Volt, 20 Amp
Back of Case
Cathode
TECHNOLOGY
The planar passivated and enhanced ultrafast recovery
diode features a triple charge control action utilising
SML
20EUZ12B
Semelab’s Graded Buffer Zone technology combined with
low emitter efficiency and local lifetime control techniques.
1 - Cathode
2 - Anode
BENEFITS
• Very fast recovery for low switching losses
• Ultra soft recovery with low EMI generation
• High dynamic ruggedness under all conditions
• Low temperature dependency
• Low on-state losses with positive temperature coefficient
• Stable blocking voltage and low leakage current
• Avalanche rated for high reliability circuit operation
1
2
See Package outline for mechanical data and more details
TO247 Package
Key Parameters
APPLICATIONS
V
R
(max)
V
F
(typ)
I
F
(max)
t
rr
(max)
1200V
3.2V
20A
40ns
• Freewheeling Diode for IGBTs and MOSFETs
• Uninterruptible Power Supplies UPS
• Switch Mode Power Supplies SMPS
• Inverse and Clamping Diode
• Snubber Diode
• Fast Switching Rectification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25°C unless otherwise stated)
V
RRM
V
R
I
FAV
I
FSM(surge)
I
FS(surge)
P
D
W
AVL
T
J
,T
STG
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Reverse Blocking Voltage
Average Forward Current @Tc = 85°C
Repetitive Forward Current
Non-Repetitive Forward Current
Power Dissipation @Tc = 85°C
Avalanche Energy (L=40mH)
Operating & Storage Junction Temperature
1200V
1200V
20A
50A
200A
70W
20mJ
-55 to 150°C
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is
believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in
its use. Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Document Number 2387
Issue 1

SML20EUZ12BR3相似产品对比

SML20EUZ12BR3
描述 20A, 1200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247CLIP, 2 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 TO-247CLIP
包装说明 R-PSIP-T2
针数 2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSIP-T2
JESD-609代码 e3
最大非重复峰值正向电流 200 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V
最大反向恢复时间 0.045 µs
表面贴装 NO
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端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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