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VII75-12S3

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共1页
制造商IXYS
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VII75-12S3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

VII75-12S3规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, X-PUFM-X3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码X-PUFM-X3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状UNSPECIFIED
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值570 W
最大功率耗散 (Abs)570 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3.7 V
Base Number Matches1
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