电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

VP0808M

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共4页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

VP0808M概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN

VP0808M规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)0.31 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)25 pF
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

VP0808M相似产品对比

VP0808M VP0808L VP1008B VP1008M VP0808B
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.79A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 80V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 100 V 100 V 80 V
最大漏极电流 (ID) 0.31 A 0.28 A 0.79 A 0.31 A 0.88 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-226AA TO-205AD TO-237AA TO-205AD
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-MBCY-W3 O-PBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 TO-226AA (TO-92), 3 PIN - CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 -
外壳连接 DRAIN - DRAIN DRAIN DRAIN
最大反馈电容 (Crss) 25 pF 25 pF - 25 pF -
厂商名称 - - TEMIC TEMIC TEMIC

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1084  2242  1998  1032  1516  22  46  41  21  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved