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AFM06P2-212

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共2页
制造商Skyworks(思佳讯)
官网地址http://www.skyworksinc.com
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AFM06P2-212概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

AFM06P2-212规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.27 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带KA BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

AFM06P2-212相似产品对比

AFM06P2-212 AFM06P2-213
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.27 A 0.27 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 KA BAND KA BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1.1 W 1.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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