RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 6 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.27 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带 | KA BAND |
JESD-30 代码 | O-CRDB-F4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1.1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |
AFM06P2-212 | AFM06P2-213 | |
---|---|---|
描述 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 6 V | 6 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.27 A | 0.27 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带 | KA BAND | KA BAND |
JESD-30 代码 | O-CRDB-F4 | O-CRDB-F4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1.1 W | 1.1 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | RADIAL | RADIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved