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MUR460SR7G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小360KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MUR460SR7G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

MUR460SR7G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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MUR420S thru MUR460S
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for automated placement
- Built-in strain relief
- Ultrafast recovery time for high efficiency
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- AEC-Q101 qualified
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AB (SMC)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.25 g (approximately)
DO-214AB (SMC)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 4 A, 25
o
C
@ 4 A, 150
o
C
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
o
C
T
J
=150 C
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
MUR420S
200
140
200
MUR440S
400
280
400
4
75
MUR460S
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
V
F
0.875
0.710
5
150
25
65
8.5
45
- 55 to +175
- 55 to +175
1.25
1.05
10
250
50
V
I
R
t
rr
C
J
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
μA
ns
pF
O
C/W
O
O
C
C
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC
Document Number: DS_D1410073
Version: B14
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