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ASI10498

产品描述RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共3页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10498概述

RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

ASI10498规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12.5 A
集电极-发射极最大电压33 V
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)750 MHz
Base Number Matches1

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BLV33
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI BLV33
is a Common Emitter
Device Designed for Class A
Television Applications.
PACKAGE STYLE .500 4L STUD
FEATURES INCLUDE:
Gold Metalization
Emitter Ballasting
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CESM
V
CEO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
12.5 A
65 V
33 V
132 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
1.5 °C/W
1 = COLLECTOR
2 & 4 = EMITTER
3 = BASE
ORDER CODE: ASI10498
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
C
cs
f
T
G
P
T
C
= 25°C
TEST CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 25 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 30 V
V
CE
= 25 V
V
CB
= 25 V
V
CE
= 25 V
V
CE
= 25 V
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V
V
CE
= 25 V
f = 224.25 MHz
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 3.0 A
I
E
= 6.0 A
I
C
= 3.2 A
P
out
= 19 W
I
C
= 3.0 A
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
33
65
4.0
10
15
155
88
3.0
680
750
9.0
9.7
100
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
MHz
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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