Wide Band Medium Power Amplifier, 50MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, SOIC-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | LOW NOISE |
特性阻抗 | 50 Ω |
构造 | COMPONENT |
增益 | 11.5 dB |
最大输入功率 (CW) | 20 dBm |
JESD-609代码 | e3 |
最大工作频率 | 4000 MHz |
最小工作频率 | 50 MHz |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND MEDIUM POWER |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches | 1 |
XG1001-SA-0G0T | XG1001-SA-0G00 | |
---|---|---|
描述 | Wide Band Medium Power Amplifier, 50MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, SOIC-8 | Wide Band Medium Power Amplifier, 50MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE |
特性阻抗 | 50 Ω | 50 Ω |
构造 | COMPONENT | COMPONENT |
增益 | 11.5 dB | 11.5 dB |
最大输入功率 (CW) | 20 dBm | 20 dBm |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大工作频率 | 4000 MHz | 4000 MHz |
最小工作频率 | 50 MHz | 50 MHz |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND MEDIUM POWER | WIDE BAND MEDIUM POWER |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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