UPA2708TP-E2,UPA2708TP-E2 pdf中文资料,UPA2708TP-E2引脚图,UPA2708TP-E2电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UPA2708TP-E2

UPA2708TP-E2: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER HSOP-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小141KB，共7页; 制造商NEC(日电)

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UPA2708TP-E2概述

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER HSOP-8

UPA2708TP-E2规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	POWER HSOP-8
Reach Compliance Code	compliant
雪崩能效等级（Eas）	28.9 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.0075 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

UPA2708TP-E2相似产品对比

	UPA2708TP-E2	UPA2708TP-E1-AZ	UPA2708TP-E1	UPA2708TP-E2-AZ
描述	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER HSOP-8	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER HSOP-8	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER HSOP-8	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER HSOP-8
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合
包装说明	POWER HSOP-8	LEAD FREE, POWER HSOP-8	POWER HSOP-8	LEAD FREE, POWER HSOP-8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
雪崩能效等级（Eas）	28.9 mJ	28.9 mJ	28.9 mJ	28.9 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	40 A	40 A	40 A	40 A
最大漏源导通电阻	0.0075 Ω	0.0075 Ω	0.0075 Ω	0.0075 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e3/e6	e0	e3/e6
元件数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A	68 A	68 A	68 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN/TIN BISMUTH	TIN LEAD	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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