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ZVP1320AM1

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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ZVP1320AM1概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3

ZVP1320AM1规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)0.07 A
最大漏源导通电阻80 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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