Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 60 A |
基于收集器的最大容量 | 400 pF |
集电极-发射极最大电压 | 450 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
JEDEC-95代码 | TO-114 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 350 W |
最大功率耗散 (Abs) | 350 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
最大关闭时间(toff) | 1700 ns |
VCEsat-Max | 0.75 V |
Base Number Matches | 1 |
PT-4504 | PT-4503 | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin | Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin, |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 60 A | 60 A |
基于收集器的最大容量 | 400 pF | 400 pF |
集电极-发射极最大电压 | 450 V | 400 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 |
JEDEC-95代码 | TO-114 | TO-114 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D3 | O-MUPM-D3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 350 W | 350 W |
最大功率耗散 (Abs) | 350 W | 350 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | SOLDER LUG | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz | 10 MHz |
最大关闭时间(toff) | 1700 ns | 1700 ns |
VCEsat-Max | 0.75 V | 0.75 V |
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